2024年7月8日，東科半導體攜20余款展品亮相2024慕尼黑上海電子展，包括新品ALL IN ONE 全合封氮化鎵AHB/ACF AC-DC電源管理芯片、國內出貨量第一的同步整流芯片系列等為代表的公司優秀產品及各功率段的PD方案設計。豐富的展出內容吸引了絡繹不絕的友商或專業觀眾們前來交流和商談合作。

現場直擊

全合封氮化鎵 AHB/ACF 電源管理芯片系列 

  此次重磅展出了東科全新All-in-One全合封氮化鎵AC-DC電源管理芯片（不對稱半橋系列/有源箝位反激系列）。作為市面唯一的All-in-One全合封不對稱半橋解決方案DK87XXAD，有源箝位反激解決方案DK86XXAD。芯片采用三合一設計，單芯片集成AHB/ACF控制+半橋驅動+半橋GAN器件，實現了優異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。

  全合封氮化鎵 QR-LOCK 電源管理芯片系列

  在氮化鎵AC-DC電源管理芯片領域，東科還帶來了全合封QR-LOCK AC-DC 電源管理芯片DK0XXG/DK80XXAP系列。產品輸出功率覆蓋12-75W。支持250KHz開關頻率，待機功耗低于50mW，內置高低壓輸入功率補償電路。

  該產品極大的簡化了反激式 AC-DC 轉換器的設計和制造，尤其是需要高轉化效率和高功率密度的產品，并具備完善的保護功能：輸出過壓保護（OVP），VCC 過欠壓保護，過溫保護（OTP），開環保護，輸出過流保護（OCP）等。

  同步整流芯片系列

  東科同步整流芯片系列擁有七種封裝形式，超200個品種可供選擇和定制。滿足不同功率和應用需求，支持PSR/SSR/ZVS反激拓撲架構?？梢源蠓档蛡鹘y肖特基二極管的導通損耗，直接替代肖特基二極管，提高電源的轉換效率，并改善EMI。

      前言

  在電源設計中，不對稱半橋AHB拓撲技術適用于單電壓輸入的場景，而對于寬電壓輸入的應用，則需要增加PFC級以實現更好的性能。該技術在寬電壓輸出方面表現優越，特別適用于需要高度可調性的場合，相較于LLC技術更為適合PD等應用場景。

  不對稱半橋AHB拓撲技術集成了LLC和反激的優點，實現了初級側零電壓開關（ZVS）和次級側零電流開關（ZCS），提高了系統的效率。通過采用電感與電容雙儲能元件，可以有效減小變壓器體積，從而提高系統的整體緊湊性。

  另外，二次側同步整流技術使電壓應力較小，有效降低了系統成本。整體外圍結構簡單，易于調試，并且對電磁干擾（EMI）的壓力較小。

  東科半導體推出了一款市面唯一的All-in-One全合封不對稱半橋解決方案DK8715AD，采用三合一設計，單芯片集成AHB控制+半橋驅動+半橋GAN器件，實現了優異的總線控制功能，提供卓越的性能和效率。由于其超高的集成度，相較于其余方案，其外圍元件大幅減少，調試難度低，有效降低了系統成本壓力，整體成本遠低于競品方案。

  DK8715AD支持最高800KHz開關頻率，前段帶有升壓PFC的情況下推薦功率為150W（高功率密度小體積應用場景），待機功耗小于50mW，具備自適應死區和關斷算法，無需外圍調節，外圍極致精簡，同時具備無鹵素特性，符合ROHs要求，并內置高壓啟動和X電容放電電路，可為系統提供更高的性能和可靠性。DK8715AD自適應四種負載模式，有效提高各負載段效率，通過搭載DK8715AD，可使設備效率最高可達95.4%。

  DK8715AD采用DFN8*8的封裝形式，適用于高功率密度快速充電器、適配器、筆記本適配器、平板電腦適配器、電視電源、兩輪電動車充電器、通信電源、LED電源等領域之中。

       方案總結

  不對稱半橋AHB拓撲技術整合了LLC和反激的優點，實現了初級側零電壓開關（ZVS）和次級側零電流開關（ZCS），從而提高了系統的效率，有效減小變壓器體積，提高系統的整體集成度。另外，二次側同步整流技術降低了系統成本，外圍結構簡單，易于調試，并對電磁干擾（EMI）的壓力較小。

  DK8715AD是一款基于不對稱半橋架構的全合封解決方案，集成了AHB控制、半橋驅動和兩顆650V增強型GaN HEMT，具備高達800KHz的開關頻率，待機功耗小于50mW，具備自適應死區和關斷算法。DK8715AD可在較大負載范圍內實現原邊功率管ZVS和副邊整流管ZCS，外圍設計精簡，簡化了AC-DC轉換器設計，降低了系統成本壓力，適用于高功率密度快速充電器、適配器、電源等領域，同時具備全面的保護功能，確保產品穩定性和可靠性。

  9月15日，東科半導體（安徽）股份有限公司與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發中心正式揭牌成立。由北京大學科學研究部謝冰部長及馬鞍山市委書記袁方共同為北大-東科聯合研發中心揭牌。

圖左為袁方書記，右為謝冰部長

 北大-東科第三代半導體聯合研發中心，（以下簡稱“研發中心”）將瞄準國家和產業發展全局的創新需求，以第三代半導體氮化鎵關鍵核心技術和重大應用研發為核心使命，重點突破材料、器件、工藝技術瓶頸，增強東科半導體在第三代半導體技術上的創新能力和市場主導力。

 北京大學集成電路學科作為我國第一個半導體專業，在學科建設、師資隊伍等綜合實力均處于國內一流領先水平。 而東科半導體作為國內最先研發布局氮化鎵芯片研究的企業，國內首創合封氮化鎵電源管理芯片，其產品性能指標等同或部分超出國外同類產品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場廣泛認可，實現國產替代。

  東科半導體在繼青島、無錫、深圳、馬鞍山研發中心后新成立的北京研發中心，將借助北京大學及其他首都高校的研發技術及人才優勢，以高標準打造出一支學歷層次高、專業覆蓋面廣、技術力量雄厚、產學研聯系緊密的研發隊伍。

  隨著氮化鎵技術的不斷突破與完善，下游新的應用市場規模將不斷爆發，同時氮化鎵作為第三代半導體，其優異特性將成為提升下游產品性能、降本增效、可持續綠色發展的關鍵技術之一。

  未來，東科半導體的氮化鎵芯片將在繼續深耕快充等消費電子細分領域市場的同時，進一步拓展進入通信、工業電源、光伏、新能源等眾多產業領域，為推進芯片國產化進程不斷前行。

  2023年7月15日，以“凝心聚力，共創未來”為主題的東科半導體喬遷揭牌儀式暨答謝晚宴在安徽馬鞍山隆重舉辦。并邀請了核心客戶，代理商，核心供應商兩百位來賓朋友、分子公司負責人出席本次儀式及晚宴，市經開區領導代表也應邀出席了上午的揭牌儀式，共賀東科半導體喬遷之喜！

  此次投入使用的東科半導體產業園占地52畝，一期新建廠房及附屬2.9萬平方米，主要從事氮化鎵超高頻AC/DC電源管理芯片、氮化鎵應用模組封裝線的研發、生產和銷售。全部達產后，預計可實現芯片年產10億只。

  作為國內為數不多的集研發設計、封測、銷售、服務于一體的集成電路國家級專精特新小巨人企業，研發創新是核心生命力，在不斷擴大研發隊伍的同時，持續跟各大院校、科研院所開展研發合作。引進了新型研發機構京皖智慧裝備研究院，整合了包括北大在內的專業研發人才，為東科提供創新成果服務，為人才提供培育平臺，實現了大學與企業的創新發展的同頻共振。并在繼青島、無錫、深圳、馬鞍山研發中心之后，依靠北大的研發力量擬成立新的北京研發中心。

  經過多年的努力，東科已擁有超百項專利，生產出眾多的自主創新產品，目前東科不但是國內同步整流芯片市占率前三的頭部企業，同時還是國內氮化鎵電源產品設計最早、品種最全、功率段覆蓋最廣的芯片設計企業，引領著氮化鎵電源芯片市場的發展。

    截止目前東科芯片已服務數千家客戶，國內客戶遍布長三角、珠三角、華中、華北等多個地區，國外客戶覆蓋歐盟、巴西、比利時、印度、韓國、越南等多個國家，產品線已覆蓋智能家電、移動數碼、工控設備、消費電子等眾多領域，下游眾多優質的行業頭部企業，已經陸續成為東科的核心客戶。

    踔厲前行，篤行不怠，新起點，新征程，東科立志成為世界一流的電源管理服務商，為客戶創造價值，為芯片國產化進程不懈努力。

  東科半導體（安徽）股份有限公司將于2023年7月11日~13日，參加慕尼黑上海電子展(electronica China)。
  屆時東科將展出最新的高集成度合封氮化鎵電源管理芯片，合封同步整流芯片和其他高性能電源管理類產品。誠邀新老朋友蒞臨指導！

  慕尼黑上海電子展(electronica China)將于2023年7月11-13日在國家會展中心（上海）舉辦。展會匯聚國內外優質電子企業加入，打造從產品設計到應用落地的橫跨產業上下游的專業展示平臺。

  展示領域緊跟行業重點，并根據行業實時熱點融入新的展示領域，涵蓋新能源汽車、智能汽車、綠色能源、智能工廠、物聯網+、智能可穿戴、工業互聯網、無線通信、數據中心、智能家居等技術話題。

  1月28日，安徽省“新春第一會”——全省發揚自我革命精神 堅持嚴的基調 持續深化“一改兩為”全面提升工作效能大會在合肥舉行。會上表揚通報了2022年度安徽省民營企業稅收貢獻50強、“專精特新”企業50強等榮譽企業，東科半導體（安徽）股份有限公司榮獲安徽省“專精特新”企業50強。

作為國家級專精特新小巨人企業，東科此次被評為省“專精特新”企業50強是對公司在持續創新能力、專業化發展戰略、市場競爭優勢等方面的認可，也是對公司的品牌影響力、產品質量等方面的肯定。作為國內數不多的集研發、設計、生產、銷售為一體的集成電路科技創新型企業，公司始終堅持創新是企業最高效率，與北京大學信息技術學院、上海工研院等國內頂尖研發機構達成聯合研發協議，共同推進第三代半導體氮化鎵芯片的應用研究，著重打造集設計、研發、封裝、測試為一體的完整的國內本土生態鏈。未來公司將繼續加大研發投入，堅持以研發創新為發展驅動力，不斷實現技術突破，加快公司先進技術的成果轉化速度，打造全面領先的產品布局，為芯片國產化以及安徽高質量發展貢獻更大力量！

    前言

  在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中，電源技術水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器 + 驅動 + 氮化鎵功率器件組合設計，不僅電路布局較為復雜，產品開發難度相對較大，而且成本也比較高。

  為了實現更高的功率密度并降低外圍器件數量，目前已有許多電源芯片廠商在著手布局集成度更高的合封氮化鎵芯片產品線，用一顆芯片完成氮化鎵功率器件、PWM 控制、驅動、保護等功能，既能夠提升整體方案的性能，同時也能減少 PCB 板的占用，縮小尺寸并減少物料成本。

  目前，合封氮化鎵芯片已在小功率快充產品中實現規?；逃谩６S著氮化鎵合封技術的不斷發展，已有多家芯片原廠推出了可用于 65W 功率段的合封氮化鎵芯片。

  東科半導體面向 65W 快充應用，推出了 DK065G 合封氮化鎵芯片，內部集成了 650V 260m Ω 氮化鎵開關管，最高支持 250kHz 開關頻率。芯片通過檢測功率管漏極和源極之間的電壓（VDS），當 VDS 達到其最低值時開啟功率管，從而減小開關損耗并改善電磁干擾（EMI）。

  東科 DK065G 采用 DFN8*8 封裝，待機功耗低于 50mW，采用谷底開通以降低開關損耗，內置高低壓輸入功率補償電路，保證高低壓下最大輸出功率一致，可廣泛應用于高功率快充充電器、筆記本平板等產品中。

  傳統的 65W 氮化鎵快充方案包括控制器 + 驅動器 +GaN 功率器件等，電路設計復雜，成本較高。而若采用合封氮化鎵芯片，一顆芯片即可實現原有數顆芯片的功能，不僅使電源芯片外圍器件數量大幅降低，而且有效降低了快充方案在高頻下的寄生參數，電源工程師在應用過程中能更加方便、快捷地完成調試，加速產品研發周期。                             

文章來源：充電頭網